一、设备名称、型号：12寸晶圆自动管式炉二、系统组成2
自动管式炉 产品详情
一、设备名称、型号： 12寸晶圆自动管式炉
二、系统组成
2.1fab上下料
2个上下料口(并列)
foup id 识别
wafer位置识别
操作启动开关
2.2晶元输送
2.2.1fba开盖
foup固定,解锁,取盖
2.2.2晶元输送机械手
双臂式传输
高纯度al2o3托盘
按规划路径将晶元从foup传送至炉体装 料腔中
2.2.3炉体开盖
将炉体装料腔腔门打开
2.3炉体(热处理)
2.3.1加热腔
外部采用不锈钢外套,中部采用fec加热器和相应保温材料,内部为石英炉管
多层环形加热器,有效使用高度 > 1000mm
底部通入工艺气氛,o2和n2可编程选择
烟气冷凝回收
底部具有自保护盖体功能
高温焦油裂解功能
降温方式：鼓风机将空气吹入炉管与加热器之间的夹腔，强制风冷降温。
多路多层环形进气,保证炉膛的冷却可控
2.3.2装料腔
石英支架,处理量为100pcs 12inch晶圆
升降采用移动式滑台机构（无杆电缸）,
2.4控制柜
2.4.1气源箱
对于空气,o2,n2进行逻辑控制
调节各路进气的流量
2.4.2电源箱
动力配电
仪器仪表放置
氧含量分析系统可选
2.5控制系统
人机界面采用触摸屏方式
核心控制器采用嵌入式控制器
超温保护为独立检测器件
具有氧含量检测功能
运动控制为伺服/步进控制单元
传输为专业晶元传输机器人
软件具有功能:温度控制,气氛控制,工艺编辑,数据记录,图表显示.
三、基本配置
3.1处理产品:12inch 晶圆
3.2处理量:90pcs/管，共180pcs
3.3加热器:圆形fec加热板
3.4加热区域:>1000mm
3.5外形尺寸:
本体:2500×3500×3500(w×d×h)
控制柜:800×600×2200(w×d×h)
3.6上料口:2
3.7机械手:1
四、技术指标
4.1长期使用温度: 350℃，温度上限：750℃；
4.2升温速率:>30℃/min
4.3降温速率:>5℃/min
4.4加热功率：36kw(单炉)；
4.5加热温区: 3个；
4.6炉温均匀性: ±7℃（350℃恒温）；
4.7程序控制：p.i.d控制；
4.8温度控制方式: ssr
4.9控温热偶: k分度；
4.10气氛: n2/o2；
4.11炉膛材料：石英玻璃；
4.12保温材料：陶瓷纤维；
4.13气氛控制：多路流量计调节进气，流量计量程为24～240l/min；
4.14排气系统：在顶部设置排气烟囱，用于废气排放,回收；
4.15设备重量：约2t；
*技术细节变动之处，恕不另行通知，具体设备参数以咨询结果为准。
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